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元件参数资料
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参数目录35508
> 1PMT5925BT1G DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE
型号:
1PMT5925BT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
1PMT5925BT1G PDF
产品变化通告
Product Obsolescence 06/Oct/2006
标准包装
3,000
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
10V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.25V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
5µA @ 8V
容差
±5%
功率 - 最大
3.2W
阻抗(最大)(Zzt)
4.5 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-216AA
供应商设备封装
Powermite
包装
带卷 (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C
查看1PMT5925BT1G代理商
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